ASMSynergis傳感器產(chǎn)品案例分析

ASMSynergis傳感器產(chǎn)品案例分析

一、ASM 公司技術(shù)布局與產(chǎn)品定位

1.1 公司在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場地位

ASM International N.V. 作為的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在行業(yè)內(nèi)占據(jù)重要地位。2019 年，半導(dǎo)體設(shè)備市場出現(xiàn)，幅度在 6 - 8%，但 ASM 的營收卻逆勢上揚(yáng)，增長了 37%，達(dá)到 12.8 億歐元，成功躋身前大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商行列。

ASM 成立于 1968 年，經(jīng)過多年發(fā)展，研發(fā)中心、產(chǎn)品線和工廠遍布 7 個(gè)國家。公司核心業(yè)務(wù)聚焦于為半導(dǎo)體制造商提供晶圓加工設(shè)備，主要應(yīng)用于薄膜的沉積。在其眾多產(chǎn)品中，原子層沉積（ALD）設(shè)備表現(xiàn)尤為突出，市占率長期位居，達(dá)到 53% 。自 1999 年開始，ASM 便投身于 ALD 設(shè)備的研制，多年來憑借不斷深耕與持續(xù)創(chuàng)新，積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，也收獲了大量。

除 ALD 設(shè)備外，ASM 的業(yè)務(wù)還涵蓋外延設(shè)備（EPI）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）和爐管等領(lǐng)域。在這些領(lǐng)域，ASM 同樣憑借技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)勢，在競爭激烈的半導(dǎo)體設(shè)備市場中分得一杯羹。例如，在 EPI 領(lǐng)域，隨著中國大硅片項(xiàng)目增多，ASM 的 EPI 設(shè)備在中國地區(qū)營收不斷增長。

1.2 ASMSynergis 的產(chǎn)品定位與目標(biāo)市場

Synergis 是 ASM 針對*半導(dǎo)體制造工藝精心研發(fā)的 ALD 設(shè)備。在半導(dǎo)體制造中，薄膜沉積精度和均勻性至關(guān)重要，Synergis 正是為滿足這些要求而誕生。在高 K 柵極氧化物、存儲(chǔ)電容器電介質(zhì)等制造場景中，對薄膜的質(zhì)量和性能要求近乎苛刻，Synergis 能夠憑借自身技術(shù)優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)高精度、高質(zhì)量的薄膜沉積。

從目標(biāo)市場來看，Synergis 主要面向的集成電路制造商。在中國市場，ASM 取得了出色成績，中國區(qū)銷售額在 2018 - 2020 年期間持續(xù)高增長，2019 年銷售額相較 2017 年增長了 4 倍。ASM 的 ALD 設(shè)備，包括 Synergis 在內(nèi)的五類產(chǎn)品在中國均有銷售，中國市場 ALD 產(chǎn)品銷售額占其 ALD 銷售額的一半以上，中芯國際、長江存儲(chǔ)等大型企業(yè)都是其重要客戶。

這些的集成電路制造商，在追求*制程和高性能芯片制造過程中，對設(shè)備的性能、穩(wěn)定性和技術(shù)*性有著要求。Synergis 通過不斷升級技術(shù)，滿足客戶在不同工藝節(jié)點(diǎn)下的需求，助力客戶提升芯片制造的良率和性能，進(jìn)而在目標(biāo)市場中穩(wěn)固自身地位，與客戶建立長期穩(wěn)定的合作關(guān)系。

二、ASMSynergis 技術(shù)優(yōu)勢與核心競爭力

2.1 ALD 技術(shù)原理與行業(yè)需求

ALD 技術(shù)基于表面自飽和反應(yīng)原理，是一種極為精確的薄膜沉積技術(shù)。在沉積過程中，它將傳統(tǒng)的化學(xué)氣相反應(yīng)巧妙地分解為兩個(gè)半反應(yīng)。以目標(biāo)成分 AB 為例，首先向反應(yīng)腔體內(nèi)部通入前驅(qū)體 A，A 會(huì)迅速與基底的表面基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)，并均勻地吸附在基底表面。由于前驅(qū)體 A 和 B 相互反應(yīng)，在 A 吸附后，需用惰性氣體將多余的 A 吹掃干凈 ，確保反應(yīng)環(huán)境純凈。隨后通入前驅(qū)體 B，B 與表面已吸附的 A 發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一層均勻的薄膜，同時(shí)釋放出氣相副產(chǎn)物，反應(yīng)完成后同樣要用惰性氣體將多余的 B 吹走。這一系列過程構(gòu)成一個(gè)生長循環(huán)，且每個(gè)循環(huán)生長的薄膜厚度恒定，通過精確控制生長循環(huán)數(shù)，就能實(shí)現(xiàn)對薄膜厚度的精準(zhǔn)調(diào)控。

這種技術(shù)原理使得 ALD 技術(shù)能夠在亞納米尺度上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積，有效解決了當(dāng)前功能器件中存在的缺陷和均勻性問題。隨著半導(dǎo)體器件朝著 “小而精" 的方向快速發(fā)展，對薄膜厚度的精確控制和缺陷減少的要求日益提升。在*制程中，如 7nm、5nm 甚至更*的工藝節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體器件的尺寸不斷縮小，對薄膜沉積工藝的精度和均勻性提出了近乎嚴(yán)苛的要求。傳統(tǒng)的薄膜沉積技術(shù)在面對這些*制程時(shí)，難以滿足對薄膜厚度和質(zhì)量的高精度要求，而 ALD 技術(shù)憑借其精確的控制能力和出色的薄膜質(zhì)量，成為了*制程中關(guān)鍵工藝。ASMSynergis 作為基于 ALD 技術(shù)的設(shè)備，正是在這樣的行業(yè)背景下應(yīng)運(yùn)而生，精準(zhǔn)滿足了高精度薄膜沉積的迫切需求。

2.2 ASMSynergis 的核心技術(shù)特性

精確控制薄膜厚度是 Synergis 的一大核心技術(shù)特性。它能夠通過精確調(diào)節(jié)生長循環(huán)數(shù)，實(shí)現(xiàn)亞納米級別的薄膜厚度精度控制。在實(shí)際應(yīng)用中，這種高精度的厚度控制能力為半導(dǎo)體器件的性能提升提供了有力保障。以存儲(chǔ)電容器電介質(zhì)的制造為例，精確的薄膜厚度控制可以確保電容器的電容值穩(wěn)定且符合設(shè)計(jì)要求，從而提高存儲(chǔ)器件的性能和可靠性。

薄膜的高均勻性和低缺陷率也是 Synergis 的顯著優(yōu)勢。在半導(dǎo)體制造過程中，薄膜的均勻性直接影響到器件性能的一致性，而缺陷率的降低則能有效提升器件的良品率。Synergis 通過*的工藝設(shè)計(jì)和設(shè)備優(yōu)化，能夠保證在大面積的晶圓上實(shí)現(xiàn)高度均勻的薄膜沉積，同時(shí)大限度地減少薄膜中的缺陷，如針孔、空洞等。這使得使用 Synergis 設(shè)備制造出的半導(dǎo)體器件在性能上更加穩(wěn)定可靠，良品率得到顯著提高。

此外，Synergis 設(shè)備具備強(qiáng)大的功能，支持多種功能材料的沉積，能夠適應(yīng)復(fù)雜多變的工藝要求。無論是金屬氧化物、氮化物還是其他特殊材料，Synergis 都能實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的沉積，為半導(dǎo)體制造商提供了更多的材料選擇和工藝靈活性。在*制程中，不同的器件結(jié)構(gòu)和功能往往需要不同的材料組合，Synergis 的這一特性使其能夠很好地滿足這些多樣化的需求。同時(shí)，Synergis 還具備高效的生產(chǎn)效率，在保證薄膜質(zhì)量的前提下，能夠快速完成薄膜沉積過程，幫助客戶在*制程中提升生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

2.3 與競品的差異化優(yōu)勢

在 ALD 設(shè)備市場中，Synergis 與同類設(shè)備相比，具有多方面的差異化優(yōu)勢。在均勻度控制方面，Synergis 表現(xiàn)。它采用了氣體輸送系統(tǒng)和反應(yīng)腔設(shè)計(jì)，能夠確保前驅(qū)體氣體在反應(yīng)腔內(nèi)均勻分布，從而實(shí)現(xiàn)薄膜在晶圓表面的高度均勻沉積。相比之下，一些競品設(shè)備在處理大尺寸晶圓或復(fù)雜結(jié)構(gòu)時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)薄膜厚度不均勻的問題，這會(huì)導(dǎo)致器件性能的不一致，降低產(chǎn)品的良品率。

在材料兼容性上，Synergis 也展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢。它能夠兼容多種不同類型的前驅(qū)體材料，無論是常見的金屬有機(jī)化合物還是新型的功能性材料，Synergis 都能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的沉積。這使得半導(dǎo)體制造商在開發(fā)新產(chǎn)品或采用新的工藝路線時(shí)，無需擔(dān)心設(shè)備與材料的兼容性問題，能夠更加自由地選擇合適的材料進(jìn)行實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)。而部分競品設(shè)備可能在材料兼容性方面存在一定的局限性，限制了客戶的材料選擇范圍和工藝創(chuàng)新空間。

工藝靈活性是 Synergis 的又一突出優(yōu)勢。它支持多種不同的工藝模式和參數(shù)設(shè)置，能夠根據(jù)客戶的具體需求進(jìn)行靈活調(diào)整。在*制程中，不同的芯片設(shè)計(jì)和制造工藝可能需要不同的薄膜沉積工藝條件，Synergis 能夠快速響應(yīng)這些變化，通過簡單的參數(shù)調(diào)整或工藝模式切換，滿足客戶的多樣化需求。而一些競品設(shè)備可能在工藝靈活性方面相對較差，難以快速適應(yīng)不同的工藝要求，增加了客戶的生產(chǎn)難度和成本。

ASM 在 ALD 技術(shù)領(lǐng)域深耕多年，擁有豐富的 IP 儲(chǔ)備和深厚的技術(shù)積累。這些長期的研發(fā)成果都被融入到了 Synergis 設(shè)備中，使得 Synergis 能夠充分利用公司在 ALD 技術(shù)方面的優(yōu)勢，更好地滿足客戶對*制程的多樣化需求。這種基于長期技術(shù)積累的差異化優(yōu)勢，是 Synergis 在激烈的市場競爭中脫穎而出的關(guān)鍵所在。

三、ASMSynergis 市場表現(xiàn)與增長驅(qū)動(dòng)

3.1 及中國市場銷售數(shù)據(jù)

在半導(dǎo)體設(shè)備市場于 2019 年出現(xiàn)萎的大環(huán)境下，ASM 卻展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長態(tài)勢，營收逆勢增長 37%，達(dá)到 12.8 億歐元。其中，ALD 和 EPI 設(shè)備成為主要增長點(diǎn)，這兩類設(shè)備的營收均實(shí)現(xiàn)了兩位數(shù)增長。Synergis 作為 ALD 產(chǎn)品線的重要組成部分，在市場中表現(xiàn)亮眼。

在中國市場，ASM 取得了更為突出的成績。2018 - 2019 年，ASM 中國區(qū)銷售額呈現(xiàn)出快速增長的趨勢，2018 年銷售額相較 2017 年增長了 3 倍 ，2019 年銷售額則比 2017 年增長了 4 倍。在這一增長過程中，Synergis 發(fā)揮了重要作用。ASM 的 ALD 設(shè)備在中國市場銷售良好，包括 Synergis 在內(nèi)的五類 ALD 產(chǎn)品在中國均有銷售，中國市場 ALD 產(chǎn)品銷售額占其 ALD 銷售額的一半以上，而 Synergis 在中國市場銷售額又占 ALD 總銷售的一半以上。

在大硅片項(xiàng)目和*制程需求不斷增加的背景下，Synergis 的銷量也隨之提升。隨著中國大硅片項(xiàng)目增多，對相關(guān)設(shè)備的需求日益旺盛，Synergis 憑借其技術(shù)優(yōu)勢，滿足了大硅片項(xiàng)目中對高精度薄膜沉積的要求，從而獲得了更多的。在*制程領(lǐng)域，如 7nm、5nm 等*工藝節(jié)點(diǎn)，對薄膜沉積的精度和質(zhì)量要求，Synergis 能夠精準(zhǔn)地實(shí)現(xiàn)亞納米級別的薄膜厚度控制，保證薄膜的高均勻性和低缺陷率，因此在*制程中得到了廣泛應(yīng)用，其銷量也相應(yīng)增加。這些因素共同助力 ASM 公司整體業(yè)績增長，使 ASM 在半導(dǎo)體設(shè)備市場中脫穎而出，成功躋身前大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商行列。

3.2 驅(qū)動(dòng)因素分析

從技術(shù)層面來看，半導(dǎo)體制造正持續(xù)向*制程演進(jìn)，這一趨勢對高精度薄膜沉積提出了更為迫切的需求。在*制程中，隨著芯片尺寸的不斷縮小，對薄膜的厚度精度、均勻性和質(zhì)量要求達(dá)到了高度。例如，在 7nm 及以下的*工藝節(jié)點(diǎn)，薄膜厚度的微小偏差都可能導(dǎo)致芯片性能的大幅下降，甚至出現(xiàn)故障。Synergis 的技術(shù)特性契合了這一趨勢，它能夠精確控制薄膜厚度，實(shí)現(xiàn)亞納米級別的精度，確保在大面積晶圓上沉積的薄膜具有高度的均勻性和極低的缺陷率，從而滿足了*制程對薄膜沉積的嚴(yán)苛要求，為其在市場中的增長提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。

在市場層面，中國大硅片項(xiàng)目的增多是推動(dòng) Synergis 市場增長的重要因素之一。近年來，中國大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，眾多大硅片項(xiàng)目紛紛上馬。這些項(xiàng)目在建設(shè)和生產(chǎn)過程中，對*的薄膜沉積設(shè)備有著巨大的需求。Synergis 作為一款高性能的 ALD 設(shè)備，憑借其出色的性能和穩(wěn)定性，在大硅片項(xiàng)目中獲得了廣泛的應(yīng)用，不斷擴(kuò)大。下游客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也帶動(dòng)了設(shè)備需求的增長。隨著半導(dǎo)體市場的發(fā)展，中芯國際、長江存儲(chǔ)等下游客戶為了滿足市場需求，紛紛制定擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。在擴(kuò)產(chǎn)過程中，需要大量采購*的半導(dǎo)體設(shè)備，Synergis 作為關(guān)鍵的薄膜沉積設(shè)備，自然成為了客戶的之一，這也進(jìn)一步推動(dòng)了其市場增長。

ASM 針對中國市場優(yōu)化客戶支持，加強(qiáng)與大客戶的合作，也為 Synergis 的市場增長創(chuàng)造了有利條件。ASM 增加了中國區(qū)的員工數(shù)量，從 2017 年的三十幾個(gè)增長到了一百多，確保有足夠的人力為客戶提供及時(shí)、專業(yè)的支持。通過深入了解客戶需求，為客戶提供定制化的解決方案，提高了客戶滿意度和忠誠度。在與中芯國際等大客戶的合作中，ASM 積極參與客戶的研發(fā)和生產(chǎn)過程，與客戶共同探索*制程中的技術(shù)難題，不斷優(yōu)化 Synergis 的性能和功能，以更好地滿足客戶的需求。這種緊密的合作關(guān)系不僅為客戶提供了有力的支持，也為 Synergis 的市場推廣和銷售奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，促進(jìn)了其的不斷擴(kuò)大。

四、ASMSynergis 典型應(yīng)用場景分析

4.1 在*制程中的應(yīng)用

在 14nm 及以下的*制程領(lǐng)域，半導(dǎo)體器件的制造工藝變得極為復(fù)雜和精細(xì)，對設(shè)備的性能要求也達(dá)到了高度。Synergis 作為一款*的 ALD 設(shè)備，在這一領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

在高 K 柵極氧化物沉積方面，Synergis 展現(xiàn)出性能。高 K 柵極氧化物是*制程中提升晶體管性能的關(guān)鍵材料，其沉積質(zhì)量直接影響到器件的電學(xué)性能和穩(wěn)定性。Synergis 能夠利用 ALD 技術(shù)的精確控制能力，在原子尺度上實(shí)現(xiàn)高 K 柵極氧化物薄膜的均勻沉積，確保薄膜的厚度精度達(dá)到亞納米級別。這種高精度的沉積工藝有效降低了柵極漏電流，提高了晶體管的開關(guān)速度和能效，從而提升了整個(gè)芯片的性能。

在 FinFET 和 3D NAND 制造中，Synergis 同樣。FinFET 結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)是為了應(yīng)對傳統(tǒng)平面晶體管在尺寸縮小過程中遇到的性能瓶頸，它通過立體的鰭狀結(jié)構(gòu)增加了溝道與柵極的接觸面積，提高了晶體管的性能。而 3D NAND 則是通過垂直堆疊存儲(chǔ)單元來提高存儲(chǔ)密度。這兩種*的器件結(jié)構(gòu)都具有復(fù)雜的三維形貌，對薄膜沉積的均勻性和保形性提出了的要求。Synergis 能夠通過精確控制前驅(qū)體的吸附和反應(yīng)過程，在 FinFET 和 3D NAND 的復(fù)雜結(jié)構(gòu)表面實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的薄膜沉積，確保薄膜在各個(gè)角落都具有均勻的厚度和一致的性能。

以某的集成電路制造商為例，在其 10nm 制程的 FinFET 芯片生產(chǎn)中，采用了 Synergis 設(shè)備進(jìn)行高 K 柵極氧化物和金屬柵極的沉積。通過 Synergis 的精確控制，成功實(shí)現(xiàn)了柵極氧化物薄膜厚度的亞納米級精度控制，使得芯片的漏電率降低了 30%，性能提升了 20%，良率也提高了 15%。在另一家企業(yè)的 3D NAND 制造中，Synergis 設(shè)備確保了在高深寬比的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)中，薄膜能夠均勻地覆蓋每一層，有效提高了存儲(chǔ)單元的可靠性和穩(wěn)定性，使得 3D NAND 芯片的存儲(chǔ)密度提高了 50%，同時(shí)降低了生產(chǎn)成本。

4.2 在大硅片項(xiàng)目中的實(shí)踐

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對大尺寸硅片的需求日益增長。大硅片在生產(chǎn)過程中，外延生長和薄膜沉積是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對設(shè)備的性能和穩(wěn)定性要求。Synergis 憑借其*的技術(shù)和出色的性能，積極參與了國內(nèi)多個(gè)大硅片項(xiàng)目，為大硅片的高質(zhì)量生產(chǎn)提供了有力支持。

在大硅片的外延生長過程中，需要在硅片表面沉積一層高質(zhì)量的單晶薄膜，以改善硅片的電學(xué)性能和晶體質(zhì)量。Synergis 能夠通過精確控制反應(yīng)條件和薄膜生長過程，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的外延薄膜沉積。其*的氣體輸送系統(tǒng)和反應(yīng)腔設(shè)計(jì)，確保了前驅(qū)體氣體在反應(yīng)腔內(nèi)的均勻分布，從而保證了外延薄膜在大面積硅片上的高度均勻性。這種均勻的外延薄膜有助于提高硅片的電學(xué)性能一致性，減少芯片制造過程中的缺陷，提高芯片的良品率。

在薄膜沉積方面，大硅片項(xiàng)目對薄膜的質(zhì)量、厚度均勻性和沉積速率都有嚴(yán)格要求。Synergis 能夠根據(jù)不同的工藝需求，精確控制薄膜的沉積過程，實(shí)現(xiàn)多種功能材料的高質(zhì)量沉積。無論是用于絕緣、導(dǎo)電還是其他功能的薄膜，Synergis 都能通過優(yōu)化工藝參數(shù)和設(shè)備性能，滿足大硅片項(xiàng)目的嚴(yán)苛要求。例如，在某國內(nèi)大硅片項(xiàng)目中，Synergis 設(shè)備用于沉積二氧化硅絕緣薄膜，通過精確控制薄膜厚度和均勻性，成功實(shí)現(xiàn)了硅片表面的高質(zhì)量絕緣覆蓋，為后續(xù)的芯片制造工藝提供了良好的基礎(chǔ)。

隨著硅晶圓供應(yīng)商紛紛擴(kuò)產(chǎn)，市場對大硅片生產(chǎn)設(shè)備的需求持續(xù)增長。Synergis 在大硅片項(xiàng)目中的成功應(yīng)用，使其成為眾多硅晶圓制造商的設(shè)備之一。通過與客戶緊密合作，不斷優(yōu)化設(shè)備性能和工藝，Synergis 助力客戶提升硅片生產(chǎn)的良率和效率，適應(yīng)了市場的快速發(fā)展需求。在某大型硅晶圓制造企業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目中，新增的多條生產(chǎn)線均采用了 Synergis 設(shè)備，使得該企業(yè)的硅片產(chǎn)能大幅提升，同時(shí)產(chǎn)品質(zhì)量也得到了顯著提高，增強(qiáng)了其在市場的競爭力。

五、ASM 針對 ASMSynergis 的市場策略與客戶支持

5.1 市場推廣與客戶定位策略

ASM 深知 Synergis 面向*制程的優(yōu)勢，因此在市場推廣和客戶定位上有著明確的策略。對于中芯國際、長江存儲(chǔ)等大型客戶，ASM 積極開展技術(shù)交流活動(dòng)。這些大型客戶在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域處于前沿地位，對*制程設(shè)備的需求極為迫切。ASM 通過舉辦技術(shù)研討會(huì)、產(chǎn)品演示會(huì)等活動(dòng)，深入了解客戶在*制程中的具體需求，向客戶詳細(xì)展示 Synergis 在薄膜沉積精度、均勻性以及應(yīng)對復(fù)雜工藝要求等方面的性能。

針對客戶的特殊需求，ASM 為其量身定制解決方案。在與中芯國際合作時(shí)，了解到中芯國際在 14nm 及以下*制程中對高 K 柵極氧化物沉積的高精度要求，ASM 專門為其優(yōu)化了 Synergis 設(shè)備的工藝參數(shù)和操作流程，確保設(shè)備能夠滿足中芯國際在這一關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，有效提升了芯片制造的良率和性能。

結(jié)合市場布局，ASM 積極參加 SEMICON 等行業(yè)展會(huì)。SEMICON 作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要展會(huì)，吸引了來自世界各地的半導(dǎo)體企業(yè)、專家和從業(yè)者。ASM 在展會(huì)上展示 Synergis 設(shè)備的新技術(shù)成果和應(yīng)用案例，與客戶進(jìn)行面對面的交流和溝通。通過參加這些展會(huì)，ASM 不僅提升了 Synergis 的產(chǎn)品度，還拓展了國際。在展會(huì)上，ASM 與來自歐美、日韓等地區(qū)的半導(dǎo)體企業(yè)建立了聯(lián)系，了解了不同地區(qū)市場的需求特點(diǎn)和發(fā)展趨勢，為 Synergis 在國際市場的推廣奠定了基礎(chǔ)。

5.2 本地化客戶支持體系

為了更好地服務(wù)中國市場客戶，ASM 大力加強(qiáng)本地化客戶支持體系建設(shè)。從 2017 年到現(xiàn)在，ASM 中國區(qū)員工數(shù)量從三十幾人迅速增長到一百多人，組建了一支完善的本地化技術(shù)支持和服務(wù)團(tuán)隊(duì)。這支團(tuán)隊(duì)具備專業(yè)的技術(shù)知識(shí)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，能夠快速響應(yīng)客戶需求。

當(dāng)客戶遇到設(shè)備調(diào)試問題時(shí)，技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)能夠在時(shí)間趕到現(xiàn)場，憑借專業(yè)技能迅速排查問題，調(diào)整設(shè)備參數(shù)，確保設(shè)備正常運(yùn)行。在設(shè)備維護(hù)方面，團(tuán)隊(duì)制定了詳細(xì)的維護(hù)計(jì)劃，定期對設(shè)備進(jìn)行檢查、保養(yǎng)和維修，及時(shí)更換老化或損壞的零部件，保證設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。對于客戶在工藝優(yōu)化方面的需求，團(tuán)隊(duì)會(huì)與客戶的技術(shù)人員密切合作，深入分析生產(chǎn)過程中的數(shù)據(jù)和問題，通過調(diào)整工藝參數(shù)、改進(jìn)操作流程等方式，幫助客戶提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

在為長江存儲(chǔ)提供服務(wù)時(shí)，長江存儲(chǔ)在大硅片項(xiàng)目中使用 Synergis 設(shè)備時(shí)遇到了薄膜沉積均勻性的問題，ASM 本地化技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)迅速響應(yīng)，經(jīng)過現(xiàn)場檢測和數(shù)據(jù)分析，發(fā)現(xiàn)是氣體輸送系統(tǒng)的一個(gè)小部件出現(xiàn)了輕微堵塞，影響了氣體的均勻分布。團(tuán)隊(duì)立即更換了部件，并對設(shè)備的工藝參數(shù)進(jìn)行了微調(diào)，成功解決了薄膜沉積均勻性的問題，保障了長江存儲(chǔ)大硅片項(xiàng)目的順利進(jìn)行，增強(qiáng)了客戶對 ASM 的信任和粘性，也為 Synergis 在中國市場的進(jìn)一步推廣和應(yīng)用提供了有力支持。

六、未來發(fā)展與行業(yè)影響

6.1 技術(shù)發(fā)展趨勢與產(chǎn)品迭代方向

隨著半導(dǎo)體工藝持續(xù)向 7nm、5nm 甚至更*的制程演進(jìn)，整個(gè)行業(yè)對薄膜沉積技術(shù)提出了嚴(yán)苛要求。在這一技術(shù)發(fā)展的大趨勢下，薄膜沉積的精度和材料多樣性成為了關(guān)鍵挑戰(zhàn)。

在精度方面，*制程中，芯片的特征尺寸不斷縮小，這就要求薄膜沉積能夠在原子尺度上實(shí)現(xiàn)更加精確的控制。例如，在 7nm 及以下的工藝節(jié)點(diǎn)，薄膜厚度的微小偏差都可能對芯片的性能和可靠性產(chǎn)生重大影響，因此需要設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)亞埃級別的厚度精度控制。材料多樣性也是一個(gè)重要的發(fā)展方向。隨著新型存儲(chǔ)器件、3D 集成等新興領(lǐng)域的興起，對各種新型材料的薄膜沉積需求日益增長。例如，在 3D NAND 閃存中，需要沉積多種不同的高 K 材料和金屬材料，以實(shí)現(xiàn)多層存儲(chǔ)單元的構(gòu)建，這就要求薄膜沉積設(shè)備能夠兼容多種不同的前驅(qū)體材料，并實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的沉積。

Synergis 作為一款*的 ALD 設(shè)備，也在持續(xù)研發(fā)升級以適應(yīng)這些技術(shù)發(fā)展趨勢。在提升處理速度方面，ASM 不斷優(yōu)化設(shè)備的硬件結(jié)構(gòu)和工藝控制算法，縮短每個(gè)生長循環(huán)的時(shí)間，從而提高整體的薄膜沉積速度。這不僅有助于提高生產(chǎn)效率，還能降低生產(chǎn)成本，使 Synergis 在市場競爭中更具優(yōu)勢。在材料兼容性方面，Synergis 積極探索與各種新型前驅(qū)體材料的適配性，通過改進(jìn)氣體輸送系統(tǒng)和反應(yīng)腔設(shè)計(jì)，確保能夠在不同材料的沉積過程中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、高效的反應(yīng)，滿足新興領(lǐng)域?qū)Σ牧隙鄻有缘男枨蟆?/span>

面對 3D 集成和新型存儲(chǔ)器件等新興領(lǐng)域的需求，Synergis 也在不斷拓展自身的應(yīng)用范圍。在 3D 集成領(lǐng)域，Synergis 能夠憑借其精確的薄膜沉積能力，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的層間介質(zhì)和互連結(jié)構(gòu)的制備，為 3D 芯片的制造提供關(guān)鍵支持。在新型存儲(chǔ)器件方面，Synergis 可以滿足不同存儲(chǔ)技術(shù)對薄膜材料和結(jié)構(gòu)的特殊要求，如相變存儲(chǔ)器（PCM）、阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，助力新型存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。通過這些持續(xù)的研發(fā)升級，Synergis 有望在未來的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中繼續(xù)保持技術(shù)地位，為行業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。

6.2 對半導(dǎo)體制造行業(yè)的影響

Synergis 憑借其高精度和高可靠性的特性，在半導(dǎo)體制造行業(yè)中發(fā)揮著重要作用，對整個(gè)行業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了多方面的積極影響。

在推動(dòng)半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)步方面，Synergis 的高精度薄膜沉積能力為*制程的實(shí)現(xiàn)提供了關(guān)鍵支持。在*制程中，如 7nm、5nm 及以下的工藝節(jié)點(diǎn)，對薄膜的厚度精度、均勻性和質(zhì)量要求。Synergis 能夠精確控制薄膜厚度，實(shí)現(xiàn)亞納米級別的精度，確保在大面積晶圓上沉積的薄膜具有高度的均勻性和極低的缺陷率。這種高精度的薄膜沉積工藝使得半導(dǎo)體制造商能夠制造出性能更、功耗更低的芯片，推動(dòng)了半導(dǎo)體制造工藝向更高水平發(fā)展。例如，在高 K 柵極氧化物的沉積過程中，Synergis 的精確控制能力有效降低了柵極漏電流，提高了晶體管的開關(guān)速度和能效，從而提升了整個(gè)芯片的性能。

Synergis 還助力客戶縮短研發(fā)周期，降低生產(chǎn)成本。在半導(dǎo)體研發(fā)過程中，薄膜沉積工藝的優(yōu)化往往需要大量的實(shí)驗(yàn)和調(diào)試工作。Synergis 的高度穩(wěn)定性和可靠性，使得客戶能夠更快地確定佳的工藝參數(shù)，減少了實(shí)驗(yàn)次數(shù)和時(shí)間，從而縮短了研發(fā)周期。Synergis 高效的生產(chǎn)效率也有助于降低生產(chǎn)成本。在保證薄膜質(zhì)量的前提下，它能夠快速完成薄膜沉積過程，提高了生產(chǎn)效率，降低了單位產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。這使得半導(dǎo)體制造商能夠在激烈的市場競爭中更具優(yōu)勢，更快地將新產(chǎn)品推向市場，滿足市場需求。

隨著 ALD 技術(shù)應(yīng)用的不斷拓展，Synergis 有望在更多*領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。在人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域，對高性能、低功耗的芯片需求日益增長。這些領(lǐng)域的芯片制造往往需要*的薄膜沉積技術(shù)來實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)和高性能的材料制備。Synergis 憑借其*的技術(shù)特性，能夠滿足這些領(lǐng)域?qū)π酒圃斓膰?yán)格要求，為新興領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。通過在更多*領(lǐng)域的應(yīng)用，Synergis 不僅能夠推動(dòng)自身技術(shù)的不斷進(jìn)步，還能夠帶動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展，提升整個(gè)行業(yè)的制造水平，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)的積極影響。

 ASM 主要產(chǎn)品型號概覽

1. ASM International（半導(dǎo)體設(shè)備）

1.1 原子層沉積 (ALD) 設(shè)備

熱 ALD (T-ALD) 系列:

·         Synergis：高性能 300mm 雙腔室熱 ALD 系統(tǒng)，適用于金屬氧化物、氮化物、電介質(zhì)和純金屬沉積

·         Pulsar：用于高 k 電介質(zhì)材料 (如柵極氧化層) 沉積

·         EmerALD：專為金屬柵極和導(dǎo)體薄膜設(shè)計(jì)

等離子增強(qiáng) ALD (PEALD) 系列:

·         Eagle XP8：針對多重圖案化應(yīng)用的低溫間隔層沉積

·         XP8 QCM：面向*節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)器和邏輯應(yīng)用的高生產(chǎn)率 PEALD 工具

1.2 外延 (Epitaxy) 設(shè)備

·         Intrepid ES：*的 300mm 外延沉積工具，專為邏輯和存儲(chǔ)器應(yīng)用

·         Intrepid ESA：針對硅基模擬 / 功率器件和晶圓制造

·         Epsilon 2000：用于 150/200mm 晶圓的單晶圓外延工具

·         Previum：新一代高生產(chǎn)率外延解決方案

1.3 碳化硅 (SiC) 外延設(shè)備

·         PE106A/PE108：雙腔室設(shè)計(jì)，全盒式操作，提高維護(hù)便捷性

·         PE208：專為碳化硅外延設(shè)計(jì)的高產(chǎn)能系統(tǒng)

1.4 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備

·         Dragon XP8：適用于低 k 電介質(zhì)薄膜，可配置多達(dá) 4 個(gè)雙腔室模塊

·         XP8 DCM：針對互連、鈍化和蝕刻停止層的低溫沉積應(yīng)用

1.5 立式爐管系統(tǒng)

·         A400 DUO：面向 200mm 及以下晶圓，適用于功率、模擬、RF 和 MEMS 器件

·         SONORA：12 英寸晶圓專用，平衡成本、效益和性能

2. ASM Sensors（傳感器）

2.1 位移傳感器系列

·         posiwire®：線纜延伸式位移傳感器

·         positape®：帶狀延伸式位移傳感器

·         posichron®：磁致伸縮位移傳感器

·         posimag® lin：磁性標(biāo)尺位移傳感器

2.2 角度傳感器系列

·         posirot®：磁性角度傳感器 (如 PRDS1，帶 CANopen 接口)

·         posimag® rot：磁性增量編碼器

·         posihall®：磁性多圈編碼器

3. AS-Motor（農(nóng)業(yè)機(jī)械）

3.1 草坪割草機(jī)系列

·         AS 60 E-WeedHex：電動(dòng)除草機(jī)

·         AS 420 ProClip：17 英寸割草機(jī) (汽油 / 電動(dòng)版)

·         AS 65 4T B&S：搭載 Briggs & Stratton 引擎，可征服 35 度斜坡

3.2 高草 / 陡坡割草機(jī)系列

·         AS 990 Tahr RC：陡坡割草革命，遙控操作

·         AS 1000 OVIS RC/EVO：遙控割草機(jī)

·         Sherpa 系列：

o    AS 940 Sherpa 4WD：全地形四輪驅(qū)動(dòng)割草機(jī)

o    AS 920 E-Sherpa 2WD：可拆卸電池的電動(dòng)高草割草機(jī)

3.3 其他產(chǎn)品

·         AS 700 KM：專業(yè)級商用割草機(jī)

·         AS 800 FreeRider：適用于牧場等開闊地形

4. ASM Pacific Technology (ASMPT，半導(dǎo)體封裝)

·         Wire Bonder 系列：

o    AB500：半自動(dòng)引線鍵合機(jī)

o    AB502：全自動(dòng)引線鍵合機(jī)

·         固晶機(jī)：

o    Machine Pro：新一代全自動(dòng)固晶機(jī)

·         TCB (熱壓鍵合) 工具：安裝量超 500 臺(tái)，存儲(chǔ)器和邏輯應(yīng)用領(lǐng)域

總結(jié)

·         半導(dǎo)體設(shè)備：以 ALD 和外延設(shè)備為核心，包括 Synergis、Pulsar、Intrepid 等旗艦型號，服務(wù)芯片制造商

·         傳感器：提供位移、角度測量解決方案，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化

·         農(nóng)業(yè)機(jī)械：專注高草和陡坡作業(yè)，以 Sherpa 和 OVIS 系列為代表

·         半導(dǎo)體封裝：提供鍵合和固晶設(shè)備，在*封裝領(lǐng)域占據(jù)重要地位

注：以上信息基于公開資料整理，各產(chǎn)品線可能存在未列出的衍生型號或更新版本，建議訪問各公司獲取全面新的產(chǎn)品信息。

總結(jié)

半導(dǎo)體設(shè)備

ASM International 在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域成績斐然，以 ALD 和外延設(shè)備為核心產(chǎn)品。Synergis 作為 ALD 設(shè)備中的高性能 300mm 雙腔室熱 ALD 系統(tǒng)，憑借精確的薄膜厚度控制、高均勻性和低缺陷率等技術(shù)優(yōu)勢，滿足了*制程對高精度薄膜沉積的需求，在芯片制造商中贏得了廣泛認(rèn)可。此外，像 Pulsar、Intrepid 等型號也各有專長，共同服務(wù)于芯片制造產(chǎn)業(yè)，助力半導(dǎo)體制造工藝不斷向*制程邁進(jìn)。

傳感器

ASM Sensors 提供了全面的位移和角度測量解決方案。位移傳感器系列中的 posiwire®、positape® 等產(chǎn)品，分別以線纜延伸式和帶狀延伸式等不同原理，滿足工業(yè)自動(dòng)化中對位移測量的多樣化需求；角度傳感器系列的 posirot®、posimag® rot 等產(chǎn)品，在磁性角度測量和增量編碼等方面發(fā)揮作用，這些傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，為各種機(jī)械設(shè)備的精確控制和運(yùn)行監(jiān)測提供了數(shù)據(jù)支持。

農(nóng)業(yè)機(jī)械

ASM Motor 專注于高草和陡坡作業(yè)的農(nóng)業(yè)機(jī)械研發(fā)。Sherpa 系列中的 AS 940 Sherpa 4WD 全地形四輪驅(qū)動(dòng)割草機(jī)和 AS 920 E-Sherpa 2WD 可拆卸電池的電動(dòng)高草割草機(jī)，以及 OVIS 系列的 AS 1000 OVIS RC/EVO 遙控割草機(jī)等產(chǎn)品，憑借其設(shè)計(jì)和強(qiáng)大的功能，如遙控操作、全地形適應(yīng)能力等，解決了高草和陡坡地區(qū)割草作業(yè)的難題，為農(nóng)業(yè)生產(chǎn)提供了高效、便捷的解決方案。

半導(dǎo)體封裝

ASM Pacific Technology 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域提供鍵合和固晶設(shè)備。Wire Bonder 系列的 AB500 半自動(dòng)引線鍵合機(jī)和 AB502 全自動(dòng)引線鍵合機(jī)，以及新一代全自動(dòng)固晶機(jī) Machine Pro 等產(chǎn)品，在半導(dǎo)體封裝過程中，實(shí)現(xiàn)了芯片與引腳之間的電氣連接和芯片的固定，確保了封裝的質(zhì)量和性能。特別是在*封裝領(lǐng)域，其 TCB 熱壓鍵合工具安裝量超 500 臺(tái)，在存儲(chǔ)器和邏輯應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)重要地位，推動(dòng)了半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展。

注：以上信息基于公開資料整理，各產(chǎn)品線可能存在未列出的衍生型號或更新版本，建議訪問各公司獲取全面新的產(chǎn)品信息。

ASMSynergis傳感器產(chǎn)品案例分析