產(chǎn)品型號:
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
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更新時間:2025-12-18
簡要描述:
LAM Technologies KIYO:驅(qū)動電機 控制器一、引言:走進(jìn) LAM Technologies KIYO 在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域,LAM Technologies 堪稱行業(yè)巨擘,占據(jù)著舉足輕重的地位。作為半導(dǎo)體設(shè)備市場的頭部企業(yè),其產(chǎn)品和技術(shù)深刻影響著行業(yè)的發(fā)展走向,多年來憑借持續(xù)創(chuàng)新與工藝,在刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)積累了深厚底蘊,為眾多半導(dǎo)體制造企業(yè)提供了核心設(shè)備
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域,LAM Technologies 堪稱行業(yè)巨擘,占據(jù)著舉足輕重的地位。作為半導(dǎo)體設(shè)備市場的頭部企業(yè),其產(chǎn)品和技術(shù)深刻影響著行業(yè)的發(fā)展走向,多年來憑借持續(xù)創(chuàng)新與工藝,在刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)積累了深厚底蘊,為眾多半導(dǎo)體制造企業(yè)提供了核心設(shè)備支持 ,與英特爾、臺積電等行業(yè)建立長期合作關(guān)系,是推動半導(dǎo)體技術(shù)迭代升級的重要力量。
而 Kiyo 作為 LAM Technologies 旗下一款代表性的產(chǎn)品,在半導(dǎo)體制造流程中扮演著角色,承載著公司優(yōu)良的技術(shù)理念與研發(fā)成果,對提升半導(dǎo)體制造效率、精度以及產(chǎn)品性能有著關(guān)鍵作用,成為行業(yè)內(nèi)眾多廠商關(guān)注與研究的焦點。對 Kiyo 進(jìn)行深入剖析,不僅能讓我們洞悉 LAM Technologies 的技術(shù)實力與創(chuàng)新能力,更能幫助我們理解半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的前沿技術(shù)趨勢與發(fā)展方向,對整個行業(yè)的技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級具有重要的參考價值 。
Kiyo 的核心功能圍繞著刻蝕工藝展開,在刻蝕過程中,能對關(guān)鍵工藝參數(shù)如氣體流量、射頻功率、刻蝕時間等進(jìn)行實時監(jiān)控。通過內(nèi)置的高精度傳感器與優(yōu)良的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),Kiyo 可將這些參數(shù)以毫秒級的速度進(jìn)行捕捉與分析,每秒鐘可采集數(shù)千組數(shù)據(jù) ,為工程師提供詳盡的工藝信息。舉例來說,在對某 7nm 制程芯片進(jìn)行刻蝕時,Kiyo 能精確監(jiān)測到氣體流量的細(xì)微波動,哪怕是 0.01sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘)的變化也能及時反饋,確保刻蝕過程中氣體環(huán)境的穩(wěn)定 。
在參數(shù)精準(zhǔn)監(jiān)測基礎(chǔ)上,Kiyo 的精準(zhǔn)控制功能可依據(jù)預(yù)設(shè)的工藝模型與實時監(jiān)測數(shù)據(jù),自動對刻蝕參數(shù)進(jìn)行動態(tài)調(diào)整。當(dāng)監(jiān)測到刻蝕速率出現(xiàn)偏差時,系統(tǒng)會在極短時間內(nèi)(小于 10 毫秒)調(diào)整射頻功率,使刻蝕速率回歸到設(shè)定值,保證刻蝕深度與精度符合設(shè)計要求。在對硅片進(jìn)行高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕時,Kiyo 能將刻蝕深度控制在 ±1nm 以內(nèi),確保每一片晶圓上的刻蝕效果高度一致 。
Kiyo 具備高精度特性,其刻蝕精度可達(dá)到原子級水平,能夠在極小的尺度上對材料進(jìn)行精確去除與加工。在制造優(yōu)良邏輯芯片的柵極結(jié)構(gòu)時,Kiyo 可實現(xiàn)線寬精度控制在 ±0.5nm,這一精度對于提升芯片性能、減小芯片尺寸起著關(guān)鍵作用,使得芯片能夠集成更多的晶體管,從而提高運算速度與數(shù)據(jù)處理能力 。
在刻蝕過程中,Kiyo 采用特殊的等離子體控制技術(shù)與工藝氣體配方,極大地降低了對晶圓表面的損傷。在對脆弱的半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕時,Kiyo 可將表面損傷層厚度控制在 5nm 以內(nèi),有效減少了因刻蝕損傷導(dǎo)致的芯片性能衰退,提高了芯片的良品率與可靠性 。
隨著半導(dǎo)體制程工藝向更優(yōu)良節(jié)點邁進(jìn),Kiyo 在設(shè)計之初就充分考慮到對優(yōu)良制程的適應(yīng)性。它能夠滿足 2nm 及以下制程工藝的刻蝕需求,無論是復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)刻蝕,還是對新型材料如碳納米管、二維材料的刻蝕,Kiyo 都能憑借其優(yōu)良的技術(shù)與靈活的工藝調(diào)整能力,出色地完成任務(wù),助力半導(dǎo)體制造商在優(yōu)良制程領(lǐng)域不斷突破 。
在技術(shù)層面,與同類刻蝕設(shè)備相比,Kiyo 的原子級刻蝕精度獨樹一幟。市場上部分競爭對手的設(shè)備刻蝕精度僅能達(dá)到 3 - 5nm,而 Kiyo 憑借優(yōu)良的等離子體控制技術(shù)與精確的工藝控制算法,實現(xiàn)了 ±0.5nm 的線寬精度控制 ,這使得 Kiyo 在制造優(yōu)良制程芯片時,能夠更好地滿足芯片對微小尺寸結(jié)構(gòu)的加工需求,為芯片性能提升提供了有力保障 。
Kiyo 在性能上表現(xiàn),其刻蝕速率和均勻性遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品。以某 14nm 制程芯片刻蝕為例,Kiyo 的刻蝕速率比同類設(shè)備提高了 30%,每小時可處理更多的晶圓數(shù)量 ,有效提升了生產(chǎn)效率。在刻蝕均勻性方面,Kiyo 可將晶圓不同區(qū)域的刻蝕速率偏差控制在 1% 以內(nèi),確保了每一片晶圓上的刻蝕效果高度一,極大地降低了芯片制造過程中的次品率 。
成本也是 Kiyo 的一大競爭優(yōu)勢。通過優(yōu)化設(shè)備結(jié)構(gòu)與工藝流程,Kiyo 在保證高性能的同時,降低了設(shè)備的能耗與維護(hù)成本。與同類設(shè)備相比,Kiyo 的能耗降低了 20%,每年可為企業(yè)節(jié)省大量的電費支出 。其維護(hù)周期也相對較長,平均維護(hù)間隔時間比同類產(chǎn)品延長了 20%,減少了設(shè)備停機維護(hù)時間,提高了設(shè)備的使用效率,降低了企業(yè)的總體運營成本 。
在 3D NAND 制造領(lǐng)域,Kiyo 發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著 3D NAND 技術(shù)向更高層數(shù)發(fā)展,對刻蝕工藝的要求愈發(fā)嚴(yán)苛。Kiyo 憑借其高精度刻蝕與高深寬比結(jié)構(gòu)處理能力,能夠滿足 3D NAND 制造中復(fù)雜的刻蝕需求。在某 500 層 3D NAND 閃存芯片制造過程中,Kiyo 負(fù)責(zé)高深寬比的孔道刻蝕,其精確的刻蝕控制保證了孔道的垂直度與尺寸精度,有效提升了芯片的存儲密度與性能 。
在優(yōu)良 DRAM 制造方面,Kiyo 同樣。為滿足 DRAM 不斷提升的性能需求,Kiyo 參與到 DRAM 芯片的關(guān)鍵刻蝕環(huán)節(jié)。例如在某 DRAM 芯片制造中,Kiyo 負(fù)責(zé)對精細(xì)的電容器結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕,其原子級精度確保了電容器結(jié)構(gòu)的完整性與穩(wěn)定性,為提高 DRAM 的存儲容量與讀寫速度奠定了基礎(chǔ) 。
在前沿邏輯芯片制造領(lǐng)域,Kiyo 的應(yīng)用也十分廣泛。從 7nm 到 5nm 再到 2nm 及以下制程,Kiyo 都能憑借其優(yōu)良的技術(shù)與出色的性能,助力芯片制造商攻克刻蝕難題。在某 2nm 制程邏輯芯片研發(fā)階段,Kiyo 成功實現(xiàn)了對超精細(xì)柵極結(jié)構(gòu)的刻蝕,為芯片的高性能運算提供了保障,推動了前沿邏輯芯片技術(shù)的發(fā)展 。
Kiyo 的發(fā)展歷程是一部不斷追求技術(shù)突破與創(chuàng)新的奮斗史。自推出以來,它便以優(yōu)良的刻蝕技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域嶄露頭角,初代 Kiyo 憑借其在刻蝕速率和精度控制方面的初步優(yōu)勢,迅速在市場上獲得了一定份額,為后續(xù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ) 。
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步與市場需求的日益嚴(yán)苛,Kiyo 開啟了技術(shù)升級的征程。在代產(chǎn)品基礎(chǔ)上,第二代 Kiyo 引入了更優(yōu)良的等離子體源技術(shù),使得刻蝕過程中的等離子體密度分布更加均勻,刻蝕精度從初的 ±2nm 提升至 ±1nm,有效滿足了 14nm 制程芯片的刻蝕需求 。
為了適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)向 7nm 及以下優(yōu)良制程邁進(jìn)的趨勢,Kiyo 持續(xù)迭代。第三代 Kiyo 搭載了全新的實時監(jiān)控與反饋控制系統(tǒng),結(jié)合人工智能算法對刻蝕過程進(jìn)行智能優(yōu)化。在面對復(fù)雜的芯片結(jié)構(gòu)刻蝕時,系統(tǒng)能夠自動學(xué)習(xí)并調(diào)整刻蝕參數(shù),將刻蝕精度進(jìn)一步提升至 ±0.5nm,成功助力半導(dǎo)體制造商攻克了 7nm 制程的刻蝕難題 。
展望未來,隨著人工智能技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的深入應(yīng)用,Kiyo 有望進(jìn)一步優(yōu)化其 AI 算法。通過對海量刻蝕數(shù)據(jù)的深度學(xué)習(xí),Kiyo 能夠更精準(zhǔn)地預(yù)測刻蝕過程中可能出現(xiàn)的問題,并提前做出調(diào)整,實現(xiàn)刻蝕過程的全自動化與智能化,極大地提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量 。
隨著半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,多腔體集成技術(shù)成為發(fā)展方向。未來 Kiyo 可能會集成多個不同功能的刻蝕腔體,在同一設(shè)備上實現(xiàn)多種刻蝕工藝的連續(xù)進(jìn)行,減少晶圓在不同設(shè)備間的傳輸次數(shù),降低晶圓損傷風(fēng)險,同時提高生產(chǎn)效率,為半導(dǎo)體制造商提供更高效、更便捷的制造解決方案 。
隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興技術(shù)的蓬勃發(fā)展,對半導(dǎo)體芯片的性能和需求提出了更高要求。Kiyo 將繼續(xù)緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢,不斷創(chuàng)新與升級,在滿足現(xiàn)有優(yōu)良制程工藝需求的基礎(chǔ)上,積極探索面向未來的新技術(shù),如量子芯片刻蝕技術(shù)等,為半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力,推動整個行業(yè)向更高水平邁進(jìn) 。
LAM Technologies Kiyo 作為半導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域的杰出代表,憑借其功能特性、強大的競爭優(yōu)勢以及廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在半導(dǎo)體制造行業(yè)中發(fā)揮著不可替代的關(guān)鍵作用 。其原子級的刻蝕精度、出色的性能表現(xiàn)以及對優(yōu)良制程的高度適應(yīng)性,不僅滿足了當(dāng)前半導(dǎo)體制造的嚴(yán)苛需求,更為行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步提供了有力支撐 ,推動著半導(dǎo)體芯片不斷向更小尺寸、更高性能方向發(fā)展,為 5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的崛起奠定了堅實基礎(chǔ) 。
展望未來,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展,Kiyo 有望在人工智能、多腔體集成等前沿技術(shù)領(lǐng)域取得更大突破,進(jìn)一步提升其智能化水平與生產(chǎn)效率 ,為半導(dǎo)體制造商提供更加優(yōu)良、高效的刻蝕解決方案 。同時,Kiyo 也將面臨來自行業(yè)競爭與技術(shù)變革的挑戰(zhàn),需要不斷創(chuàng)新與優(yōu)化,緊跟半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢,以保持其在市場中的地位 。Kiyo 的發(fā)展歷程與未來走向,不僅是 LAM Technologies 技術(shù)實力的體現(xiàn),更是整個半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展的縮影,引發(fā)我們對半導(dǎo)體設(shè)備未來發(fā)展方向的深入思考 ,激勵著行業(yè)內(nèi)各方不斷探索創(chuàng)新,共同推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高度 。
注:市場上存在兩家名稱相似的公司,下面分別介紹:
刻蝕產(chǎn)品系列:
· FLEX 系列:原子層刻蝕 (ALE)、反應(yīng)離子刻蝕 (RIE)
· KIYO 系列:高性能導(dǎo)體刻蝕,365 天免維護(hù)
· Reliant 刻蝕:RIE、深反應(yīng)離子刻蝕 (DRIE)
· Syndion 系列:Syndion C、F 系列、G 系列,用于 TSV 和高縱橫比結(jié)構(gòu)
· Versys 系列:導(dǎo)體刻蝕
· Akara 系統(tǒng):關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用
沉積產(chǎn)品系列:
· SABRE 系列:SABRE 3D、原子層沉積 (ALD)
· ALTUS 系列:優(yōu)良沉積技術(shù)
· VECTOR 系列:VECTOR TEOS、AHM、MD、Strata、DT、TEOS 3D
· STRIKER 系列:SPARC ALD,提供高密度共形低 k 碳化物薄膜
· Phoenix 系列:電化學(xué)沉積 (ECD)、光刻膠顯影 / 剝離
· SOLA 系列:特殊沉積工藝
· Triton 系列:高性能沉積
清洗 / 剝離產(chǎn)品系列:
· DV-Prime & Da Vinci 系列:濕法清洗
· CORONUS 系列:高選擇性斜面膜沉積
· EOS 系列:高生產(chǎn)率背面膜蝕刻
· GAMMA 系列:干法剝離、高劑量注入剝離 (HDIS)
· SP 系列:特殊清洗工藝
計算解決方案:
· Semiverse Solutions:SEMulator3D®、VizGlow®、Fabtex™良率優(yōu)化平臺
步進(jìn)電機系列:
· NEMA 標(biāo)準(zhǔn)系列:
o NEMA 17:M1173020、M1173030、M1173040 等
o NEMA 23:M1233070、M1233071 (高扭矩)
o NEMA 34/42
步進(jìn)驅(qū)動器系列:
· DS10 系列:DS1041A、DS1044A、DS1048、DS1073、DS1078、DS1084、DS1087、DS1098
· DS30 系列:DS3041、DS3044、DS3048、DS3073、DS3076
· DS50/52 系列:支持 Modbus-RTU 總線
· DDS1 系列:通過模擬信號 (±10V) 或啟停控制
· EtherCAT 驅(qū)動器:支持 CoE 協(xié)議、CiA 402 運動控制
· PROFINET 集成電機:內(nèi)置電子元件的一體化解決方案
其他產(chǎn)品:
· 電源系列:DP1 系列導(dǎo)軌式非穩(wěn)壓電源
· 串行轉(zhuǎn)換器:CNV30 系列
· PCB 安裝驅(qū)動器:USD 系列 (12-42V DC, 0.3-2.4A)
LAM Research 專注半導(dǎo)體制造設(shè)備,產(chǎn)品線覆蓋刻蝕、沉積、清洗等工藝;而 LAM Technologies 則專注工業(yè)自動化領(lǐng)域,主要提供步進(jìn)電機及控制系統(tǒng)。如您需要特定型號的詳細(xì)參數(shù),建議訪問相應(yīng)公司查詢新產(chǎn)品手冊。
注:市場上存在兩家名稱相似的公司,下面分別介紹:
刻蝕產(chǎn)品系列:
· FLEX 系列:原子層刻蝕 (ALE)、反應(yīng)離子刻蝕 (RIE) ,采用優(yōu)良的等離子體控制技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)原子級別的精確刻蝕,滿足優(yōu)良制程工藝對微小尺寸結(jié)構(gòu)加工的嚴(yán)苛要求,廣泛應(yīng)用于 7nm 及以下制程芯片制造。
· KIYO 系列:高性能導(dǎo)體刻蝕,365 天免維護(hù) ,具備超高的刻蝕精度和穩(wěn)定性,在復(fù)雜的芯片結(jié)構(gòu)刻蝕中表現(xiàn)出色,可有效提升芯片制造的良品率和生產(chǎn)效率,是優(yōu)良邏輯芯片和存儲芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備。
· Reliant 刻蝕:RIE、深反應(yīng)離子刻蝕 (DRIE) ,擁有強大的刻蝕能力,能夠處理高深寬比的結(jié)構(gòu),適用于 MEMS 器件、功率器件等制造領(lǐng)域,為這些領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展提供了有力支持。
· Syndion 系列:Syndion C、F 系列、G 系列,用于 TSV 和高縱橫比結(jié)構(gòu) ,針對 3D 集成技術(shù)中的硅通孔 (TSV) 和高縱橫比結(jié)構(gòu)刻蝕進(jìn)行優(yōu)化,提高了芯片的集成度和性能,在 3D NAND 閃存、優(yōu)良封裝等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。
· Versys 系列:導(dǎo)體刻蝕 ,專注于導(dǎo)體材料的刻蝕工藝,具有高效、精準(zhǔn)的特點,可滿足不同類型導(dǎo)體在芯片制造過程中的刻蝕需求,為芯片的電氣性能提供保障。
· Akara 系統(tǒng):關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用 ,針對特定的關(guān)鍵刻蝕工藝進(jìn)行設(shè)計,具備技術(shù)優(yōu)勢,能夠解決一些復(fù)雜的刻蝕難題,在優(yōu)良制程芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
沉積產(chǎn)品系列:
· SABRE 系列:SABRE 3D、原子層沉積 (ALD) ,采用原子層沉積技術(shù),能夠在芯片表面均勻沉積超薄的薄膜,實現(xiàn)高精度的薄膜生長控制,為芯片的高性能、低功耗設(shè)計提供了可能,廣泛應(yīng)用于優(yōu)良制程芯片的柵極、存儲電容等結(jié)構(gòu)的制造。
· ALTUS 系列:優(yōu)良沉積技術(shù) ,擁有優(yōu)良的沉積工藝和設(shè)備,能夠沉積多種新型材料,滿足半導(dǎo)體制造對新材料應(yīng)用的需求,推動了芯片技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展,在新型存儲器件、功率器件等領(lǐng)域得到應(yīng)用。
· VECTOR 系列:VECTOR TEOS、AHM、MD、Strata、DT、TEOS 3D ,涵蓋多種沉積工藝和材料,能夠根據(jù)不同的芯片制造需求提供多樣化的解決方案,具有廣泛的適用性,在芯片制造的各個環(huán)節(jié)都有應(yīng)用。
· STRIKER 系列:SPARC ALD,提供高密度共形低 k 碳化物薄膜 ,通過特殊的原子層沉積技術(shù),能夠沉積出高質(zhì)量的低 k 碳化物薄膜,有效降低芯片的寄生電容,提高芯片的性能和運行速度,在優(yōu)良邏輯芯片制造中具有重要應(yīng)用價值。
· Phoenix 系列:電化學(xué)沉積 (ECD)、光刻膠顯影 / 剝離 ,專注于電化學(xué)沉積和光刻膠相關(guān)工藝,具有高精度、高效率的特點,為芯片制造中的金屬布線、光刻膠去除等環(huán)節(jié)提供了可靠的解決方案,保障了芯片制造工藝的順利進(jìn)行。
· SOLA 系列:特殊沉積工藝 ,針對一些特殊的沉積需求進(jìn)行設(shè)計,具備技術(shù)和工藝優(yōu)勢,能夠滿足半導(dǎo)體制造中一些特殊結(jié)構(gòu)和材料的沉積要求,為芯片制造技術(shù)的創(chuàng)新提供了支持。
· Triton 系列:高性能沉積 ,以高性能為特點,能夠?qū)崿F(xiàn)快速、高質(zhì)量的薄膜沉積,提高生產(chǎn)效率的同時保證沉積質(zhì)量,在大規(guī)模芯片制造中具有顯著優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于各類半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)。
清洗 / 剝離產(chǎn)品系列:
· DV-Prime & Da Vinci 系列:濕法清洗 ,采用濕法清洗技術(shù),能夠有效去除芯片表面的雜質(zhì)和污染物,具有清洗效果好、對芯片損傷小的優(yōu)點,是芯片制造過程中清洗環(huán)節(jié),廣泛應(yīng)用于晶圓制造、芯片封裝等領(lǐng)域。
· CORONUS 系列:高選擇性斜面膜沉積 ,專注于高選擇性的斜面膜沉積工藝,能夠在特定的角度和位置沉積薄膜,實現(xiàn)對芯片結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)控制,為一些特殊芯片結(jié)構(gòu)的制造提供了技術(shù)支持,在優(yōu)良芯片制造中具有應(yīng)用價值。
· EOS 系列:高生產(chǎn)率背面膜蝕刻 ,具備高生產(chǎn)率的背面膜蝕刻能力,能夠快速、高效地去除芯片背面的薄膜,提高生產(chǎn)效率,滿足大規(guī)模芯片制造的需求,在芯片制造的后道工序中發(fā)揮著重要作用。
· GAMMA 系列:干法剝離、高劑量注入剝離 (HDIS) ,采用干法剝離技術(shù),適用于高劑量注入后的光刻膠剝離等工藝,具有剝離效果好、對芯片損傷小的特點,保障了芯片制造過程中光刻膠去除環(huán)節(jié)的質(zhì)量和效率,在優(yōu)良芯片制造工藝中得到廣泛應(yīng)用。
· SP 系列:特殊清洗工藝 ,針對一些特殊的清洗需求進(jìn)行設(shè)計,具備清洗技術(shù)和工藝,能夠解決一些復(fù)雜的清洗難題,滿足半導(dǎo)體制造中對特殊結(jié)構(gòu)和材料的清洗要求,為芯片制造技術(shù)的發(fā)展提供了保障。
計算解決方案:
· Semiverse Solutions:SEMulator3D®、VizGlow®、Fabtex™良率優(yōu)化平臺 ,提供全面的計算解決方案,通過模擬、分析和優(yōu)化等功能,幫助半導(dǎo)體制造商提高芯片制造的良率和性能,降低生產(chǎn)成本,在半導(dǎo)體制造過程中發(fā)揮著重要的輔助作用,為芯片制造工藝的優(yōu)化和創(chuàng)新提供了數(shù)據(jù)支持和技術(shù)指導(dǎo)。
步進(jìn)電機系列:
· NEMA 標(biāo)準(zhǔn)系列:
o NEMA 17:M1173020、M1173030、M1173040 等 ,具有體積小、精度高的特點,適用于小型自動化設(shè)備、3D 打印機等領(lǐng)域,能夠提供精確的運動控制,滿足這些設(shè)備對精細(xì)運動的需求。
o NEMA 23:M1233070、M1233071 (高扭矩) ,扭矩較大,適用于需要較大驅(qū)動力的自動化設(shè)備,如機器人關(guān)節(jié)驅(qū)動、數(shù)控機床等,能夠提供穩(wěn)定的動力輸出,保障設(shè)備的正常運行。
o NEMA 34/42 ,具備更大的扭矩和功率,適用于大型工業(yè)自動化設(shè)備、自動化生產(chǎn)線等領(lǐng)域,能夠滿足這些設(shè)備對高負(fù)載、高精度運動控制的要求,在工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著重要作用。
步進(jìn)驅(qū)動器系列:
· DS10 系列:DS1041A、DS1044A、DS1048、DS1073、DS1078、DS1084、DS1087、DS1098 ,具有多種型號和功能,可滿足不同應(yīng)用場景對步進(jìn)電機驅(qū)動的需求,具備高精度的細(xì)分控制能力,能夠?qū)崿F(xiàn)電機的平穩(wěn)運行和精確控制,廣泛應(yīng)用于自動化設(shè)備、儀器儀表等領(lǐng)域。
· DS30 系列:DS3041、DS3044、DS3048、DS3073、DS3076 ,在性能和功能上進(jìn)行了優(yōu)化,提供更高的驅(qū)動電流和更好的穩(wěn)定性,適用于對電機驅(qū)動力和運行穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用,如工業(yè)機器人、自動化倉儲設(shè)備等。
· DS50/52 系列:支持 Modbus-RTU 總線 ,具備通信功能,方便與其他設(shè)備進(jìn)行組網(wǎng)和數(shù)據(jù)交互,實現(xiàn)自動化系統(tǒng)的集中控制和管理,適用于工業(yè)自動化生產(chǎn)線、智能工廠等領(lǐng)域,提高了系統(tǒng)的集成度和智能化水平。
· DDS1 系列:通過模擬信號 (±10V) 或啟停控制 ,提供了靈活的控制方式,適用于一些對控制方式有特殊要求的設(shè)備,如自動化測試設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備等,能夠滿足這些設(shè)備對電機控制的個性化需求。
· EtherCAT 驅(qū)動器:支持 CoE 協(xié)議、CiA 402 運動控制 ,基于 EtherCAT 總線技術(shù),具有高速、實時的通信能力,能夠?qū)崿F(xiàn)多軸電機的同步控制,適用于對運動控制精度和實時性要求的應(yīng)用,如高速加工中心、電子制造設(shè)備等。
· PROFINET 集成電機:內(nèi)置電子元件的一體化解決方案 ,將電機和驅(qū)動器集成在一起,減少了系統(tǒng)的布線和安裝空間,提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,適用于對設(shè)備集成度和空間要求較高的應(yīng)用,如小型自動化設(shè)備、智能家居等。
其他產(chǎn)品:
· 電源系列:DP1 系列導(dǎo)軌式非穩(wěn)壓電源 ,為工業(yè)自動化設(shè)備提供穩(wěn)定的電源供應(yīng),具有體積小、安裝方便的特點,適用于各種工業(yè)自動化控制系統(tǒng),保障設(shè)備的正常運行。
· 串行轉(zhuǎn)換器:CNV30 系列 ,實現(xiàn)不同通信接口之間的轉(zhuǎn)換,方便設(shè)備之間的通信和數(shù)據(jù)傳輸,在工業(yè)自動化系統(tǒng)中起到連接和適配的作用,提高了系統(tǒng)的兼容性和可擴(kuò)展性。
· PCB 安裝驅(qū)動器:USD 系列 (12-42V DC, 0.3-2.4A) ,體積小巧,可直接安裝在 PCB 板上,適用于空間有限的小型設(shè)備和電路板級的電機驅(qū)動應(yīng)用,為這些設(shè)備提供了緊湊、高效的電機驅(qū)動解決方案。
LAM Research 專注半導(dǎo)體制造設(shè)備,產(chǎn)品線覆蓋刻蝕、沉積、清洗等工藝;而 LAM Technologies 則專注工業(yè)自動化領(lǐng)域,主要提供步進(jìn)電機及控制系統(tǒng)。如您需要特定型號的詳細(xì)參數(shù),建議訪問相應(yīng)公司查詢新產(chǎn)品手冊。
LAM Technologies KIYO:驅(qū)動電機 控制器